Giáo trình "Đo lường và linh kiện điện tử" được biên soạn nhằm giúp sinh viên trình bày được các loại máy đo được sử dụng trong lĩnh vực điện, điện tử.; nắm được công dụng các khối, nút chức năng của máy VOM, máy phát sóng, máy hiện sóng, nêu được cấu tạo, ký hiệu, tính chất, ứng dụng cơ bản các linh kiện thụ động, linh kiện bán dẫn.

Báo cáo môn học Thiết kế vi mạch số và lõi IP, tập trung vào thư viện số FreePDK45. Phân tích chi tiết các thành phần thư viện và mô phỏng ALU.

Bài giảng trình bày về thiết kế và phân tích hệ tổ hợp, phân loại vi mạch (SSI, MSI, LSI, VLSI, ULSI, GSI), công nghệ TTL, CMOS và các yếu tố kỹ thuật.

1) Cho trước mạch giải mã địa chỉ của hệ thống dùng VXL 8051: a) Xác định vùng địa chỉ của các SRAM b) Viết các lệnh 8051 để sao chép 10 byte từ vùng nhớ có địa chỉ đầu là địa chỉ đầu của SRAM thứ nhất (U1) đến vùng nhớ có địa chỉ đầu là địa chỉ đầu của là địa chỉ đầu của SRAM thứ hai (U2) 2) Cho trước mạch giao tiếp 8051 với SRAM 4KB: VXL _BTOT_AY1213-S2–1/8 .a) Viết đoạn chương trình sao chép 10 byte từ bộ nhớ chương trình bắt đầu từ địa chỉ 0100H đến...

Tham khảo bài thuyết trình 'mạch điện tử - chương 3: mạch khuếch đại fet', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả

Vi mạch khuếch đại thuật toán (Operational Amplifier) ký hiệu là OpAmp, các mạch khuếch đại có khả năng thay đổi theo mạch ghép nối bên ngoài, thực hiện các phép biển đổi toán học như cộng trừ, biến đổi tỷ lệ, vi tích phân... trong các máy tính tương tự.

1. Với các trường hợp sau BJT hoạt động ở miền nào? a) NPN: VCB = 0.7V, VCE = 0.2V d) PNP: VEB = 0.6V, VCE = –4V b) NPN: VBE = 0.7V, VCE = 0.3V e) PNP: VCB = –0.6V, VCE = –5.4V c) NPN: VCB = 1.4V, VCE = 2.1V f) PNP: VCB = 0.9V, VCE=0.4V 2. Với hình 1 cho trước VCC = 12V và BJT có  = 100, hãy tìm RB và RC để cho BJT ở miền tích cực thuận có điểm hoạt động DC (điểm tĩnh Q) là ICQ = 3mA và VCEQ...

Chương 1. Giới thiệu  Các khối xây dựng cơ bản của các dụng cụ bán dẫn: STT Khối xây dựng cơ bản Ứng dụng chính trong các dụng cụ bán dẫn 1 Chuyển tiếp kim loại-bán dẫn (M-S) Diode Schottky, MESFET 2 Chuyển tiếp P-N Các loại diode bán dẫn, BJT, JFET 3 Chuyển tiếp dị thể Các transistor đặc biệt và các dụng cụ quang ĐT 4 Cấu trúc MOS MOSFET, cảm biến ảnh CCD và CMOS  Các xu hướng công nghệ vi mạch (IC) bán dẫn: Gồm 3 xu hướng chính: tăng mật độ tích hợp,...

- Dựa trên tính dẫn điện, vật liệu bán dẫn không phải là vật liệu cách điện cũng không phải là vật liệu dẫn điện tốt. Đối với vật liệu dẫn điện, lớp vỏ ngoài cùng của nguyên tử có rất ít các electron, nó có khuynh hướng giải phóng các electron này để tạo thành electron tự do và đạt đến trạng thái bền vững

Chương 3:Công nghệ xử lý CMOS CÔNG NGHỆ XỬ LÝ CMOS 3.1 Quy trình tạo Wafer Silic là chất bán dẫn trong trạng thái tinh khiết hay bán dẫn thuần, là chất có độ dẫn điện nằm giữa chất dẫn điện và chất cách điện. Độ dẫn điện của bán dẫn có thể thay đổi bằng cách pha tạp chất vào Silic từ đó hình thành hai loại chất bán dẫn mới là n và p, tùy thuộc vào nồng độ pha mà ta có n+ và p+. Từ một lò nấu nỏng chảy Silic đa tinh thể kéo ra được thỏi...